Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A1K43EB1CWED0

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1K43EB1CWE OEM PC425600 CL19 SODIMM 260pin 1.2В original single rankSamsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1K43EB1CWE OEM PC425600 CL19 SODIMM 260pin 1.2В original single rank CAS Latency CL)22массакг)0.06GTD Number1000503021062331652121GTIN00000000000000CтранапроизводительКорея, республикаПартномерM471A1K43EB1CWERAS to CAS Delay tRCD)22Row Precharge Delay tRP)22высотасм)1гарантия1 годдлинасм)15Количество контактов260Количество модулей в комплекте шт)1Количество чипов на модуле8Компоновка чипов на модулеДвусторонняяЛинейкамассакг)0.06МодельM471A1K43EB1CWEНапряжение В)1.2НизкопрофильнаяНетОбщий объем памяти ГБ)8Объем одного модуля ГБ)8ОписаниеПамять M471A1K43EB1CWE от SamsungПоддержка ECCНетПоддержка RegНетПоддержка водяного охлажденияНетПодсветкаНетПроизводительSamsungПропускная способность МБс)25600РадиаторНетТайминги222222Тип модуляSODIMMТип оборудованияОперативная памятьЦветЗеленыйЧастота MHz)DDR4 3200Чип1Gb x 8bitширинасм)4.adparpropertylist width:100;margin:0px 0px 0px;color:555;.adparpropertylist td verticalalign:bottom;...